隨著技術的不斷演進，每一代內存的更新都帶速率、技術和功耗方面的升級。最新的DDR5內存標準中，除了速率和技術的提升外，電壓與功耗的降低成為關注焦點之一。與DDR4相比，DDR5內存的核心標準工作電壓從1.2V降低至1.1V，同時允許的波動範圍也在3%之內（即±0.033V）。


為了推動更高頻率和更低功耗的內存標準，DDR5內存引入了重要的改良措施，將內存的電壓調節模塊從主板上移至內存PCB上，形成獨立的穩壓器模塊，即所謂的PMIC。這一創新設計使得主板對內存的輸入電壓標準為12V / 5V，再由PMIC模塊轉換為1.1V。這種設計不僅能夠更好地監控內存芯片的功率和溫度等信息，同時也提升了轉換效率和對電壓的控制精準度。


此外，DDR5的供電架構也發生了重大變化，由之前的多相大電流集中供電變為雙相較小電流分布供電。這一架構變化深刻影響了電感形態，使得電感形態由之前的大尺寸大電流組裝式演變為小尺寸薄型，具有非常小的損耗要求。


針對DDR5的電源管理要求，JEDEC提出較高的轉換效率要求。不同應用場景下，如服務器端的RDIMM / LRDIMM以及客戶端的UDIMM / SODIMM，都有不同的PMIC規範要求，其中最高電壓轉換效率要求達到90%以上。


為了滿足終端客戶對DDR5電感的需求，高創科技推出全新低損耗系列產品，GSTL-SERIES搭配GSTD-SERIES方案，實現了高性能、高可靠性和更低成本，為DDR5的推廣普及提供了強而有力的支持。

推薦用料
GSTL322512PL-R47MS3  +  GSTD252012PC-1R5M
GSTL322512PL-R68MS3  +  GSTD252012PC-1R5M

DDR5電路圖圖示